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J-GLOBAL ID：201702260180484074   整理番号：17A0406832

Tiは進行接触メタライゼーションのための均一および平滑Ni(Si_0 8Ge_0.2)層の高度に配向した成長【Powered by NICT】

Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(Si_0.8Ge_0.2) layer for advanced contact metallization

著者 (11件)： Ping Yunxia (Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China) ,  Hou Chunlei (Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China) ,  Hou Chunlei (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Chaomin (Shanghai University of Engineering Science, Shanghai 201600, China) ,  Yu Wenjie (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Xue Zhongying (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Wei Xing (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Peng Wei (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Di Zengfeng (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Miao (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Functional Material for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, CAS, Shanghai 200050, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693  ページ： 527-533  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一で高度に配向したNiSi_0 8Ge_0 2層はNi germanosilicidation中のTi中間層を用いて達成した。参照試料と比較して,Ti中間層を用いて成長させたNi(Si_0 8Ge_0,2)層の形態が,より良い一様性と滑らかな表面と界面を持つ改善された。Ni(Si_0 8Ge_0,2)層は5nmのTi中間層の場合には500°CのアニーリングでSi_0 8Ge_0 2基板上に成長させた高配向であり,(010)Ni(Si_0 8Ge_0,2)(001)Si_0 8Ge_0および(101)Ni(Si_0 8Ge_0,2)(110)Si_0 8Ge_0の優先方位関係をもつ。添加では,元の中間層からのTi原子の大部分はアニーリング後に表面に向かって拡散する。還元されたNi拡散は,NiとSi_0 8Ge_0 2間の均一な反応に伝導性である,Si_0 8Ge_0 2上に成長させた高配向Ni(Si_0 8Ge_0,2)をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *メタライゼーション ,  焼なまし ,  *ニッケル ,  優先配向 ,  導電性 ,  *チタン
準シソーラス用語： 中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 高度に配向した成長 ,  ゲルマノシリサイド ,  Ti媒介

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  メタライゼーション ,  Ni ,  層 ,  配向 ,  成長