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J-GLOBAL ID:201702260218992167   整理番号:17A1568721

65nm CMOSにおける放射線効果の実験的研究のための装置【Powered by NICT】

Setup for an Experimental Study of Radiation Effects in 65nm CMOS
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: DSD  ページ: 329-336  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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物理的放射実験はVLSI回路に対するイオン化粒子の影響を研究するための標的シミュレーションモデルを較正するための重要な手段である。しかし,それらの伝導は特別な注意と非常に特殊な装置を必要とする。本論文では,そのような実験装置の概要を示し,いくつかの特定の詳細を明らかにした。実験の目的,特異的標的ASICの想定される放射線源だけでなく,設計とアーキテクチャコンテキスト包括的を示すを越えて,通信インフラストラクチャ,すなわち片側に標的ASICに位置するいくつかの前処理インフラストラクチャ間のデータ交換を制御するFPGAとデータ解析を行うホストPCに特に重点を置く。最後に,物理的配置が,目標ASIC用キャリアPCBを含む,特定の要件を付着する必要がある,ケーブルも注目を受ける。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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電力系統一般  ,  電話・データ通信・交換一般  ,  計算機網 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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