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J-GLOBAL ID：201702260367019062   整理番号：17A0475055

先進シリコンデバイスプロセスのための改良された物理的モデル【Powered by NICT】

Improved physical models for advanced silicon device processing

著者 (5件)： Pelaz Lourdes (Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain) ,  Marques Luis A. (Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain) ,  Aboy Maria (Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain) ,  Lopez Pedro (Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain) ,  Santos Ivan (Departamento de Electronica, Universidad de Valladolid, E.T.S.I. de Telecomunicacion, 47011 Valladolid, Spain)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62  ページ： 62-79  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端デバイス処理におけるイオン注入とアニーリングに関連した問題のための原子論的モデリング手法をレビューした。モデルは,最近のプロセスと素子モデル化における要求精度への応答としての物理的機構をより詳細にアップグレードされたかを記述した。二体衝突近似に基づく注入と損傷モデルを重または分子イオンの非晶質ポケットの直接形成を記述するために改善された。非晶質化インプラントとそれに続く固相エピタキシャル再成長の使用は非晶質化と再結晶の,結晶方位と応力条件の影響を考慮して詳細なモデルの開発を動機づけた。シミュレーションを適用し残留損傷を最小化するためにインプラントパラメータの役割を記述するために,FinFETのような非平面構造で生じるドーピングの問題に取り組んだ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  エピタクシー ,  モデリング ,  非晶質 ,  二体衝突近似 ,  平面構造 ,  *アモルファス化 ,  イオン注入 ,  再結晶 ,  固相 ,  焼なまし
準シソーラス用語： FinFET ,  再成長 ,  分子イオン ,  損傷モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン ,  イオン注入 ,  アニーリング ,  原子論的シミュレーション

分類 (5件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンデバイス ,  プロセス ,  物理 ,  モデル