文献

J-GLOBAL ID：201702260399808935   整理番号：17A0399686

成形サファイア単結晶におけるブロックと残留応力【Powered by NICT】

Blocks and residual stresses in shaped sapphire single crystals

著者 (6件)： Krymov V.M. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Nosov Yu.G. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Bakholdin S.I. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Maslov V.N. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Shul′pina I.L. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia) ,  Nikolaev V.I. (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, Politekhnicheskaya ul. 26, St. Petersburg 194021, Russia)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 314-319  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Stepanov法(EFG)による融液から成長させた成形サファイア結晶におけるブロックと残留応力の形成を研究した。ブロック形成の確率はa軸方向に成長させたそれと比較してc軸に沿った成長の方が高かった。管状,矩形および円形断面のサファイア結晶中の残留応力の分布は,コノスコープ法で測定した。は残留応力の大きさは中心から結晶の表面に,約20MPaに達することが分かった。固体丸棒と管状単結晶の残留応力テンソル成分を数値積分により決定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 丸棒 ,  *単結晶 ,  軸方向 ,  テンソル ,  *残留応力 ,  円形断面 ,  数値積分 ,  コノスコープ ,  *サファイア ,  *結晶
準シソーラス用語： 融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1応力 ,  A1欠陥 ,  A1X線トポグラフィー ,  A2Stepanov法 ,  A2エッジ定義された膜は成長を与えた ,  B1サファイア

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： サファイア ,  単結晶 ,  残留応力