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J-GLOBAL ID：201702260407335410   整理番号：17A1481684

CsI:Tl薄膜の配向性に及ぼす成膜過程と蒸着速度の効果に関する研究【Powered by NICT】

Study on the effect of film formation process and deposition rate on the orientation of the CsI:Tl thin film

著者 (8件)： Tan Xiaochuan (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Liu Shuang (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Xie Yijun (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Guo Lina (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Ma Shijun (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Wang Tianyu (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Liu Yong (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Chengdu 610054, China) ,  Zhong Zhiyong (University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu 610054, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 476  ページ： 64-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの新しいシンチレーション材料が開発されているが,CsI:Tlは,その高いシンチレーション効率のために支配的である。本研究では,CsI:Tl薄膜を真空熱蒸発堆積法により作製し,それらの形態特性と成長方位をSEMとXRDによって観察された。光ルミネセンススペクトルは,CsI:Tl薄膜のルミネセンス特性を測定した。結果は,CsI:Tl薄膜の膜形成過程を示し,CsI:Tl薄膜の配向性に及ぼす膜形成過程と堆積速度の効果を解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  シンチレーション ,  *薄膜 ,  蒸発 ,  ルミネセンス ,  堆積速度
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  形態特性 ,  *蒸着速度 ,  *薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CsI:Tl ,  膜形成過程 ,  結晶配向 ,  堆積速度

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (8件)： CSI ,  Tl ,  薄膜 ,  配向性 ,  成膜 ,  過程 ,  蒸着速度 ,  研究