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J-GLOBAL ID：201702260462549532   整理番号：17A0998012

Ar/CF_4とHe/CF_4条件下での表面放電プラズマを用いたSiのエッチング特性【Powered by NICT】

Etching characteristics of Si using surface discharge plasma under Ar/CF₄ and He/CF₄ conditions

著者 (1件)： Hamada Toshiyuki (National Institute of Technology, Ube College, 2-14-1 Tokiwadai, Ube City, Yamaguchi Prefecture 755-8555, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 66  ページ： 212-214  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池とマイクロエレクトロニクス製造に有用であることがマスクレスエッチング法を大気圧で動作する沿面放電プラズマを用いて調べた。本研究では,表面放電プラズマを用いたSiの著明なエッチング特性を調べるために,著者らはHe/CF_4とAr/CF_4条件下でエッチングSi基板で得られた溝を観察した。Arを用いたエッチング速度はHeを用いた場合よりも速かった。さらに,ガスの選択は,それに沿ってエッチングが進行する方向に影響することが分かった。結果に基づいて,Siエッチングの特性と機構を議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *プラズマ ,  太陽電池 ,  *エッチング ,  *ヘリウム ,  マイクロエレクトロニクス ,  *ケイ素 ,  沿面放電 ,  *アルゴン
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  シリコンウエハ ,  *エッチング特性 ,  *放電プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： シリコン ,  表面放電プラズマ ,  マスクレスエッチング

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  He ,  表面放電 ,  プラズマ ,  Si ,  エッチング特性