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J-GLOBAL ID：201702260712423961   整理番号：17A1772054

鞍状フィンデバイスにおけるドーピングプロファイルのための走査型広がり抵抗顕微鏡観察【Powered by NICT】

Scanning Spreading Resistance Microscopy for Doping Profile in Saddle-Fin Devices

著者 (7件)： Yang Chia-Ming (Institute of Electro-Optical Engineering and Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Wei Chen-Kang (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Chen Hsiu-Pin (Inotera Memories, Inc., Tao-Yuan, Taiwan) ,  Luo Jian-Shing (Inotera Memories, Inc., Tao-Yuan, Taiwan) ,  Chang Yu Jing (Inotera Memories, Inc., Tao-Yuan, Taiwan) ,  Wu Tieh-Chiang (Inotera Memories, Inc., Tao-Yuan, Taiwan) ,  Lai Chao-Sung (Institute of Electro-Optical Engineering and Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 6  ページ： 999-1003  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型容量顕微鏡(SCM)と走査型広がり抵抗顕微鏡法(SSRM)は30nmダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)技術におけるサドルフィン(Sフィン)デバイスのドーピングプロファイルを調べるために用いた。SCMの限定された分解能のために,SCMはSフィンアレイデバイスの明確なドーピングプロファイルを提供することができない。一方,試料調製過程でSSRMと集束イオンビームミリングは二次元および走査線ドーピングプロファイルを得る機会を提供する。二隣接埋め込みワード線間の共通ソース領域はエネルギー及び用量調整を持つ付加的なリン(P)注入で処理したDRAM製品のアレイデバイスにおけるドーピングプロフィルの変化を持つことである。この追加のP注入における中間エネルギーと高用量の条件で,30nm DRAMの列ハンマー効果は空乏効果による電場から局所遮蔽効果により最小化することができた。追加のP注入の接合プロファイルは対照試料のそれよりも約10nmより深い,SSRMと技術コンピュータ支援設計シミュレーションにより確認した。ドーピングプロファイルの実験結果はハンマーの改善の機構を支援するのに使用できる。本研究で提案したSSRM方法論は,将来のスケーリング技術のためのDRAMにおけるドーピングプロフィルを最適化するために使用することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フィン ,  集束イオンビーム ,  CAD【計算機】 ,  二次元 ,  シミュレーション ,  DRAM ,  電場 ,  分解能 ,  試料調製 ,  最適化
準シソーラス用語： ハンマ ,  ワード線 ,  走査型容量顕微鏡 ,  *走査型広がり抵抗顕微鏡 ,  *ドーピングプロファイル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鞍 ,  フィン ,  ドーピングプロファイル ,  走査型広がり抵抗顕微鏡 ,  観察