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J-GLOBAL ID：201702260762767774   整理番号：17A0852261

ジオクチルベンゾチエノ[2,3 b]ベンゾチオフェン バセド薄膜トランジスタにおける温度依存性ゲートバイアスストレス効果【Powered by NICT】

Temperature-Dependent Gate Bias Stress Effect in Dioctylbenzothieno[2,3-b]benzothiophene-Based Thin-Film Transistor

著者 (4件)： Wang Jiawei (CAS Key Laboratory for Standardization and Measurement for Nanotechnology, Center of Excellence for Nanoscience, and National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, China) ,  Liu Tianjun (CAS Key Laboratory for Standardization and Measurement for Nanotechnology, Center of Excellence for Nanoscience, and National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, China) ,  Zhang Yiwei (CAS Key Laboratory for Standardization and Measurement for Nanotechnology, Center of Excellence for Nanoscience, and National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, China) ,  Jiang Chao (CAS Key Laboratory for Standardization and Measurement for Nanotechnology, Center of Excellence for Nanoscience, and National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1723-1727  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は200K以下でジオクチルベンゾチエノ[2,3 b]ベンゾチオフェン バセド 有機薄膜トランジスタ(OTFT)の温度に依存したバイアスストレス不安定性に関する系統的な研究を行った。二次元結晶粒界モデルはバイアスストレス効果の間の相関と有機膜の第一単分子層の形態を分析した。これは温度依存電気的性質を解析することにより結晶粒界と結晶粒/誘電体界面の両方からのしきい値電圧のシフトへの寄与を研究することを可能にした。本論文では,活性層の微細構造の影響を受けバイアス応力によるしきい値電圧変動の理解を深め,多結晶OTFTの指定を最適化に役立つと思われる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  誘電体 ,  不安定性 ,  微細構造 ,  単分子層 ,  *薄膜トランジスタ ,  *バイアス ,  電気的性質 ,  *温度依存性 ,  結晶粒界 ,  結晶粒 ,  活性層
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  閾値電圧シフト ,  有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ベンゾチオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  温度依存性 ,  ゲートバイアス ,  ストレス