実用的負荷インピーダンスモニタ法を用いた,プラズマエッチングにおけるパーティクル発生源となる堆積膜の条件のモニタリング

KASASHIMA Yuji; UESUGI Fumihiko

文献

J-GLOBAL ID：201702260829312717 整理番号：17A0082486

実用的負荷インピーダンスモニタ法を用いた,プラズマエッチングにおけるパーティクル発生源となる堆積膜の条件のモニタリング

Monitoring of Condition of Deposited Film Causing Particles in Plasma Etching by Using Practical Load Impedance Monitoring Method

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資料名：
巻： 59 号： 10 ページ： 270-275(J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： G0194A ISSN： 1882-2398 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

以前開発した負荷インピーダンスモニタシステムを用いて,大量生産対応のプラズマエッチング装置内壁への堆積膜の膜厚変化をモニタした。エッチング反応生成物で構成される薄膜は,薄片状パーティクルの発生原因となり,LSIの大量生産における生産収率と設備総合効率(OEE)を低下させる要因となる。膜厚変化がモニタでき,薄片状パーティクルの低減に役立つ方法が強く求められている。今回の研究によると,内壁に薄膜が堆積すると負荷インピーダンスの虚数部分が主に変化し,装置の改変なしに膜厚変化を検出できることが示された。この実時間かつ非侵襲的モニタ法により生産収率とOEEが改善されることが期待され,将来の予知保全方法の開発に役に立つ。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (32件)：

1) N. Ito, T. Moriya, F. Uesugi, M. Matsumoto, S. Liu and Y. Kitayama: Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008) 3630.
2) F. Uesugi, N. Ito, T. Moriya, H. Doi, S. Sakamoto and Y. Hayashi: J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (1998) 1189.
3) N. Ito, T. Moriya, F. Uesugi, H. Doi, S. Sakamoto and Y. Hayashi: J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (1998) 3339.
4) T. Moriya, N. Ito, F. Uesugi, Y. Hayashi and K. Okamura: J. Vac. Sci. Technol. A, 18 (2000) 1282.
5) T. Moriya, N. Ito and F. Uesugi: J. Vac. Sci. Technol. B, 22 (2004) 2359.

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