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J-GLOBAL ID：201702260927430743   整理番号：17A1727319

三重トップゲートグラフェントンネル電界効果トランジスタのサブ0.5Vバイアス電圧動作【Powered by NICT】

Sub 0.5 V bias voltage operation of a triple-topgate graphene tunnel field effect transistor

著者 (5件)： Suzuki Shunei (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan) ,  Hammam Ahmed M. M. (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan) ,  Schmidt Marek E. (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan) ,  Muruganathan Manoharan (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan) ,  Mizuta Hiroshi (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 309-312  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三重トップゲートグラフェントンネル電界効果トランジスタ(GTFET)を提案し,0.5Vより低いバイアス電圧のための非平衡Green関数(NEGF)シミュレーションに基づいてデバイス性能を報告した。提案GTFET構造は28mV/decのサブ閾値スイング(SS)のような顕著なデバイス性能と飽和領域における500μA/μmよりもON電流ラガーを示した。出力特性に及ぼす負性微分抵抗は,電極とp型およびn型領域の間の強い結合から生じることを見出した。GTFETコンパクトモデル,バイアス電圧>0.1VのNEGFシミュレーション結果と一貫して働くを開発Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  電流
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  負性微分抵抗 ,  出力特性 ,  サブ閾値スイング ,  非平衡Green関数 ,  *バイアス電圧 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 三重 ,  電界効果トランジスタ ,  サブ ,  バイアス電圧