文献

J-GLOBAL ID：201702260943346439   整理番号：17A1961450

四元CIGSターゲットに基づく大結晶粒をもつCu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜の作製【Powered by NICT】

Fabricating Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) thin films with large grains based on the quaternary CIGS targets

著者 (9件)： Peng Xiao (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Zhao Ming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Zhuang Daming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Sun Rujun (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Zhang Leng (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Wei Yaowei (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Lv Xunyan (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Wu Yixuan (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China) ,  Ren Guoan (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 146  ページ： 282-286  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H_2Seガスは表面近傍CuInSe_2の粒径を増強することができ,薄膜内の結晶粒に限られた影響を持っている。表面近くの高品質結晶層(HQCL)の厚さは薄膜のCu含有量との関連を持っている。Cu含有量を増加させるとHQCLの長さを効果的に高めることができる。Cu(In,Ga)Se_2の結晶性を向上させるために,1600nm厚CIGS薄膜は二分子層焼なまし戦略,最初のアニールした層CIGSは1100nmであるCu含有量0.82の0.97と二600nm厚アニール層CIGSのCu含有量で作製した。著者らの結果は,二層焼なましした1600nm厚CIGS薄膜は単層アニールした1600nm厚のものより良好な結晶性を持つことを示した。二層アニールしたCIGSに基づく細胞はより高い電流密度を持ち,変換効率は13.0%までであり,10.5よりもはるかに高い%であり,これはCIGS太陽電池アニールした単一層である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  粒径 ,  結晶度 ,  焼なまし ,  二分子層 ,  単一層 ,  *薄膜 ,  *結晶 ,  *結晶粒
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  変換効率 ,  二層 ,  高品質 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： CIGS ,  ターゲット ,  結晶粒 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  作製