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J-GLOBAL ID：201702260992367593   整理番号：17A1727306

シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおけるターンオフ振動抑制のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of turn-off oscillation suppression in silicon insulated gate bipolar transistors

著者 (2件)： Machida Satoru (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi, Japan) ,  Nomura Katsuya (Toyota Central R&D Labs., Inc., 41-1, Yokomichi, Nagakute, Aichi, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 257-260  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタに残っている中性領域によるターンオフ振動の抑制の機構を調べた。デバイスシミュレーションを用いた中性領域のAC解析から,ターンオフ振動は中性領域の抵抗によって減衰されないことを見出した。容量と直列にコレクタとエミッタ端子間に接続された電流源(テール電流)はターンオフ振動を抑制することができるモデルを提案した。このモデルに基づく回路シミュレーションの結果,テール電流はLC共振回路にダンピング抵抗として作用することが明らかとなった。ターンオフ振動は残りの中性領域による尾部電流により抑制されると結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 回路シミュレーション ,  *ターンオフ ,  電流 ,  *防振 ,  *IGBT ,  LC回路 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 電流源 ,  デバイスシミュレーション ,  中性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  ターンオフ ,  振動抑制 ,  シミュレーション