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J-GLOBAL ID：201702261039770119   整理番号：17A0398677

飛行時間型二次イオン質量分析とX線光電子分光法により特性評価した清浄グラフェンおよびスパッタした黒鉛表面の欠陥【Powered by NICT】

Defects of clean graphene and sputtered graphite surfaces characterized by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (9件)： Xie Wenjing (Division of Environment, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Weng Lu-Tao (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Weng Lu-Tao (Materials Characterization and Preparation Facility, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Ng Kai Mo (Advanced Engineering Materials Facility, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chan Chak K. (Division of Environment, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chan Chak K. (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chan Chak K. (School of Energy and Environment, City University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Chan Chi-Ming (Division of Environment, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chan Chi-Ming (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 112  ページ： 192-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの清浄表面は500°Cで得られ,X線光電子分光法(XPS)と飛行時間二次イオン質量分析(ToF SIMS)によって特性化した。グラフェンのXPSC1sスペクトルにおいて,非対称.~2炭素ピークとπ-π~*シェイクアップピークが現れ,.~3欠陥を表現する追加.~3炭素ピークも存在した。グラフェンのToF-SIMSの陽イオンスペクトルでは,一連のグラフェンの欠陥に起因するC_xH_2~+イオンのが見出された。C_xH_2~+イオンの起源を決定するために,欠陥は種々のスパッタリング用量でCs~+イオンビームを衝撃によりほぼ欠陥のない高度に配向した熱分解グラファイト(HOPG)の表面に作製した。イオン照射したHOPG表面の陽イオンスペクトルの詳細な検討はC_xH_2~+イオンの存在を明らかにし,スパッタリングされたHOPG表面上に生成された欠陥から来た,これらC_xH_2~+イオンはグラフェン表面上に存在する欠陥に類似していることを確認した。,スパッタリングされたHOPG試料のXPSスペクトルに現れた.~3欠陥を代表する285.3eV.~3炭素ピークがスパッタリングされたHOPGの表面はグラフェンのそれと類似していることを確認した。グラフェンとH OPGのToF-SIMSスペクトルにおける選択したイオンのフラグメンテーション機構を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非対称性 ,  *X線光電子分光法 ,  衝撃 ,  清浄面 ,  *イオン ,  カチオン ,  *キャラクタリゼーション ,  熱分解 ,  フラグメンテーション ,  スパッタリング ,  *グラフェン ,  高配向性熱分解グラファイト ,  スペクトル ,  イオン照射
準シソーラス用語： TOF-SIMS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 飛行時間 ,  二次イオン質量分析 ,  X線光電子分光法 ,  特性評価 ,  グラフェン ,  スパッタ ,  黒鉛 ,  欠陥