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J-GLOBAL ID:201702261073469355   整理番号:17A0366284

組合せスパッタリングにより調製したBaTiO_3 xBaSnO_3薄膜の電気機械的性質【Powered by NICT】

Electromechanical properties of BaTiO3-xBaSnO3 thin films prepared via combinatorial sputtering
著者 (8件):
資料名:
巻: 43  号: 1 PB  ページ: 1597-1601  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(1 x)BaTiO_3 xBaSnO_3(BT xBS,0≦x≦0.20)ペロブスカイト薄膜を,二重ターゲット組合せスパッタリング法を用いて一軸傾斜組成を持つPt/Ti/Si基板上に堆積した。これらの膜は高度に(101)配向し,それらの電気機械特性の強い組成依存性を示した。相対誘電定数の最大値は,xが約0.028 925であった,横方向圧電係数は31であり,また約1.5 1 9C/m~2でピークに達した。e_31値はエピタキシャルBaTiO_3薄膜のそれよりも高かった。著者らの結果は,BT xBSは圧電MEMSデバイスにおける応用のための鉛ベースのペロブスカイトの有望な代替物であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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