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J-GLOBAL ID：201702261083067743   整理番号：17A1238024

ファセット制御技術を用いたHVPE成長GaN中の転位挙動の可視化【Powered by NICT】

Visualization of dislocation behavior in HVPE-grown GaN using facet controlling techniques

著者 (7件)： Matsubara Tohoru (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Matsubara Tohoru (UBE Scientific Analysis Laboratory, Inc., Ube, Yamaguchi 755-0001, Japan) ,  Goubara Shin (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Yukizane Kota (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Inomoto Ryo (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Okada Narihito (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan) ,  Tadatomo Kazuyuki (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシー(HVPE)成長GaNの全表面上10~4 10~5cm~ 2のオーダーの低い貫通転位(TD)密度を達成し,ファセット制御技術を用いた。この方法で用いたSiO_2~-縞状マスクパターンを,選択領域成長のための10μmマスキング領域と200μm幅窓を有していた。このGaN層をパターニングされたマスクを用いて成長させたが,転位の濃度は,GaN層の全表面にわたって観察されなかった。も全選択的に成長させたGaN層域上のユニークな転位挙動を可視化した。HVPE成長GaNの貫通および面内転位の両方のための転位密度の三次元分布は傾斜研磨した試料を用いた三次元陰極線ルミネセンス像によって得られた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 転位密度 ,  *可視化 ,  エピタクシー ,  *ファセット ,  三次元 ,  貫通転位 ,  マスキング ,  研磨 ,  パターン形成 ,  *窒化ガリウム ,  陰極線ルミネセンス
準シソーラス用語： 領域成長法 ,  マスクパターン ,  縞 ,  *制御技術 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 陰極線ルミネセンス ,  転位 ,  エピタキシャル横方向被覆成長 ,  GaN ,  研磨

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ファセット ,  制御技術 ,  HVPE ,  成長 ,  GaN ,  転位 ,  挙動 ,  可視化