Matsubara Tohoru について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Matsubara Tohoru について
UBE Scientific Analysis Laboratory, Inc., Ube, Yamaguchi 755-0001, Japan について
Goubara Shin について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Yukizane Kota について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Inomoto Ryo について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Okada Narihito について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Tadatomo Kazuyuki について
Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan について
Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics について
転位密度 について
可視化 について
エピタクシー について
ファセット について
三次元 について
貫通転位 について
マスキング について
研磨 について
パターン形成 について
窒化ガリウム について
陰極線ルミネセンス について
領域成長法 について
マスクパターン について
縞 について
制御技術 について
陰極線ルミネセンス について
転位 について
エピタキシャル横方向被覆成長 について
GaN について
研磨 について
半導体薄膜 について
ファセット について
制御技術 について
HVPE について
成長 について
GaN について
転位 について
挙動 について
可視化 について