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J-GLOBAL ID：201702261095042130   整理番号：17A1552989

化学気相蒸着により成長させた単分子層MoS_2におけるトップ及びボトム表面の輸送特性【Powered by NICT】

Transport properties of the top and bottom surfaces in monolayer MoS₂ grown by chemical vapor deposition

著者 (2件)： Kurabayashi S. (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan. [e-mail]) ,  Nagashio K.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 35  ページ： 13264-13271  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンと比較して,MoS_2の利点は,触媒金属基板,エレクトロニクスのための実用的な応用を利用せずに化学蒸着(CVD)による種々の酸化物基板上に直接成長した。キャリア移動度は,主にCVD成長中に形成されたS空孔に起因する短範囲散乱が原因となった固有の限界から分解した。酸化物基板上のCVD MoS_2の結晶度の上限は成長中にMoS_2/基板相互作用により決定されるならば,利点を妨げる可能性がある。本研究では,単分子層MoS_2とSiO_2/Si基板との間の相互作用とMoS_2/基板相互作用に起因する上部と底部S表面の間の結晶度の違いを検討した。Raman及び光ルミネセンス分光法を用いて,ドーピングおよび歪は,基板からMoS_2で誘導されたが,それらはポリマを用いた新しい基板にMoS_2を移すことによって除去できることを示した。新しく開発された高分子転送技術は,新しいSiO_2/Si基板上にCVD MoS_2の底辺または頂上表面の選択的移動を可能にした。金属-絶縁体転移は明らかに正常および逆移動の両方で観察され,CVD MoS_2の結晶性が高く,基板と相互作用する底面の結晶性は上部自由表面のそれに類似することを示唆した。これらの結果は,成長条件を再検討することによって酸化物基板上にMoS_2の結晶性のさらなる改良のために正の展望を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 自由表面 ,  電子技術 ,  グラフェン ,  光ルミネセンス ,  化学蒸着 ,  結晶度 ,  酸化物 ,  *単分子層 ,  金属-絶縁体転移 ,  相互作用 ,  重合体 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  金属基板 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  単分子層 ,  トップ ,  ボトム ,  輸送特性