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J-GLOBAL ID：201702261165943328   整理番号：17A0565637

半導体材料・デバイスの最新の進展 2.分子線エピタキシャル成長とデバイス応用

著者 (1件)： 富永依里子 (広島大学 大学院先端物質科学研究科)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 66  号： 2  ページ： 185-191(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板結晶上に同じ方位関係を持った結晶層を成長させるエピタキシャル成長の内,分子線エピタキシャル成長(MBE)法に関して下記の項目について説明した。1)原理と特徴(MBE成長室)-超高真空下で加熱されて発生した蒸気を分子線の形でるつぼから加熱した基板に照射して単結晶薄膜を生成する方法,2)MBEの事例-GaAs基板上へのGaAs単結晶薄膜の生成,3)デバイスへの応用-量子カスケードレーザー,発振波長温度無依存レーザ,テラヘルツ波発生検出用光伝導アンテナ,MBE法による変調ドーピング。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *薄膜 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  量子カスケードレーザ ,  発生 ,  アンテナ ,  テラヘルツ波 ,  *半導体素子 ,  反応器 ,  変調ドーピング
準シソーラス用語： *単結晶薄膜 ,  ヒ化ガリウム基板 ,  テラヘルツ波発生 ,  光伝導アンテナ

著者キーワード (3件)： Molecular beam epitaxy ,  Compound semiconductors ,  Optical and electronic devices

分類 (3件)： 結晶成長一般  (BK13010Q) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (41件)：

• 1) M. Henini, “Molecular beam epitaxy from research to mass production”, Chap. 1 (2012) Elsevier, Oxford.
• 2) J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson, and N. Norton, “Dynamics of film growth of GaAs by MBE from rheed observations”, Applied Physics A Solids and Surfaces, Vol.31, Issue 1, pp.1-8 (1983).
• 3) J. J. Harris, B. A. Joyce, and P. J. Dobson, “Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE”, Surface Science Vol.103, Issue 1, pp.L90-L96 (1981).
• 4) T. Ide, A. Yamashita, and T. Mizutani , “Direct observation of the growth-interruption effect for molecular-beam-epitaxy growth on GaAs(001) by scanning tunneling”, Physical Review B, Vol. 46, Issue 3, pp.1905-1908 (1992).
• 5) H. Sakaki, M. Tanaka, and J. Yoshino, “One atomic layer heterointerface fluctuations in GaAs-AlAs quantum well structures and their suppression by insertion of smoothing period in molecular beam epitaxy”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.24, Part 2, Number 6, pp.L417-L420 (1985).

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体材料 ,  進展 ,  分子線エピタキシャル成長 ,  応用