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J-GLOBAL ID：201702261171622734   整理番号：17A0852417

多重面内ゲートを有するプロトン伝導体横方向結合酸化物ベーストランジスタの神経形態学的シミュレーション【Powered by NICT】

Neuromorphic Simulation of Proton Conductors Laterally Coupled Oxide-Based Transistors With Multiple in-Plane Gates

著者 (6件)： Wan Xiang (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Yang Yi (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  He Yongli (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Feng Ping (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Li Wenjun (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Wan Qing (School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 525-528  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物電気二重層(EDL)トランジスタを人工シナプス/ニューロンのための有望な候補であることが報告された。本論文では,プロトン伝導電解質横方向に結合した酸化物ベースのEDLトランジスタに基づく神経形態学的デバイスの行動モデルは,電荷蓄積/緩和過程と古典的電界効果トランジスタ特性を統合することにより開発した。デバイスモデルは直流挙動と動的シナプス機能の両方を再現することができた。いくつかの複雑な神経形態学的機能,ニューラルネットワーク分類のような回路シミュレーションへのそのようなデバイスモデルを導入することにより実現できる。著者らの結果は,神経形態学的システムのハードウェア実装のために注目されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ニューラルネットワーク ,  電解質 ,  FET【トランジスタ】 ,  シナプス ,  回路シミュレーション ,  固体素子モデル ,  ニューロン ,  *酸化物 ,  帯電 ,  電気二重層 ,  直流 ,  *プロトン伝導 ,  緩和現象 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： *神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多重 ,  ゲート ,  プロトン伝導体 ,  横方向 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  神経形態学 ,  シミュレーション