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J-GLOBAL ID：201702261177901725   整理番号：17A0872340

プラズマ支援反応性蒸着法による導電性AlN薄膜の制御成長

Controlled Growth of Conductive AlN Thin Films by Plasma-Assisted Reactive Evaporation

著者 (3件)： ALIZADEH M. (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  GOH B.T. (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS) ,  RAHMAN S.A. (Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
資料名： Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science  (Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science)
巻： 48  号： 7  ページ： 3461-3469  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： E0265B  ISSN： 1073-5623  CODEN： MTTABN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援反応性蒸着法による導電性AlN薄膜の作製ではフィラメントと基板の距離が重要なパラメータであることが実験によって判明した。すれすれ入射X線回折実験によれば,この距離を短くすると金属アルミに対応するピーク強度が減少しAlNのピークは増加する。EDXとXPSによれば,距離をさらに短くするとAlNへのNの取り込みが多くなる。FTIRによってAl-Nボンドが形成されていることが確認された。また,距離が小さくなると光学吸収端は近紫外領域から遠紫外領域にシフトした。AlN膜は導電性を示し,I-V特性はオーミック伝導を示した。

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *薄膜 ,  導電性 ,  *プラズマCVD ,  Ohm接触 ,  フィラメント ,  基板 ,  距離 ,  依存性 ,  吸収端
準シソーラス用語： 距離依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  反応性蒸着 ,  導電性 ,  AlN ,  薄膜 ,  成長