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J-GLOBAL ID：201702261296903230   整理番号：17A1061603

変位損傷検出器に基づくp-i-nダイオードの特性【Powered by NICT】

Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector

著者 (8件)： Jing Sun (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China) ,  Jing Sun (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Qi Guo (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China) ,  Xin Yu (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China) ,  Xin Yu (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Cheng-Fa He (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China) ,  Wei-Lei Shi (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China) ,  Xing-Yao Zhang (Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments of CAS, Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry of CAS, Urumqi 830011, China)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 139  ページ： 11-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変位損傷検出器を設計し,その特性を10MeV陽子照射で試験した。試験結果は,検出器の読み出しは,10~12proton/cm~2までの陽子ビームのフルエンスと共に直線的に変化することが分かった。しかし,古典的非イオン化エネルギー損失(NIEL)は等価変位損傷を計算するために用いる時,顕著な損傷増強因子は1.8MeV電子照射で観察された。古典的NIELモデルに基づく予測は低エネルギー入射に適合できないので,低エネルギー粒子変位損傷機構,欠陥発生,再結合と有効NIEL誘起改質を,分子動力学(MD)モデルにより議論した。有効NIELは1.8MeV電子照射の下での検出器の応答を測定することによって検証した。異なる粒子間の等価変位損傷はスケーリング因子,損傷因子,損傷増強因子を介して検討した。この方法により,劣化関数の適用は有効NIELを用いた低エネルギー粒子に拡張できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *検出器 ,  フォトダイオード ,  イオン化ポテンシャル ,  *損傷検出 ,  *はじき出し損傷 ,  ダイオード ,  再結合 ,  陽子ビーム ,  電子照射 ,  陽子照射 ,  分子動力学 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 損傷メカニズム ,  低エネルギー ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 変位損傷 ,  NIEL ,  p-i-nフォトダイオード ,  損傷増大因子

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 変位損傷 ,  検出器 ,  ダイオード