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J-GLOBAL ID：201702261302667563   整理番号：17A1421023

PECVDにより堆積した水素化非晶質炭化けい素薄膜の室温光ルミネセンス特性に及ぼす炭素含有量とプラズマ出力の影響【Powered by NICT】

Effects of carbon content and plasma power on room temperature photoluminescence characteristics of hydrogenated amorphous silicon carbide thin films deposited by PECVD

著者 (2件)： Guenes Ibrahim (Department of Physics, Canakkale Onsekiz Mart University, 17100 Canakkale, Turkey) ,  Sel Kivanc (Department of Physics, Canakkale Onsekiz Mart University, 17100 Canakkale, Turkey)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 85-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な炭素含有量(x)とプラズマ増強化学蒸着法により堆積した,より低い(30mW/cm~2)(LP)および高い(90mW/cm~2)(HP)パワー密度で,a SiC_x:H薄膜の室温光ルミネセンス特性を解析した。SiC_x:H薄膜の炭素含有量はX線光電子分光法により決定した。ピークエネルギー及びPLスペクトルの半値全幅最大値は光エネルギー,紫外-可視透過率測定により決定したと比較し,線形相関増加はxの関数として観察された。PLピークエネルギーは1.99eVから2.60eVへのLP及びHP膜では1.89~2.91eVであった。PL機構を静的無秩序モデルとStokesシフトモデルの枠内で調べた。著者らの解析は,LP膜のStokesシフトモデルとHP膜の静的無秩序モデルはPLの支配的な機構であることを示した。さらにはこれらの独立モデルの両方がPL機構への寄与を持つことが決定された。さらに,PLスペクトルは,テイル状態(JDOS)PLモデルの結合密度により分析した。プラズマ電力と炭素含有量の増加によるPLピークエネルギーとスペクトル幅の増加はJDOS PLモデル,それ自身によるPL機構を表すのみに適合させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *非晶質 ,  FWHM ,  炭化ケイ素 ,  X線光電子スペクトル ,  *プラズマ ,  *プラズマCVD ,  Stokesシフト ,  X線光電子分光法 ,  透過率 ,  *水素化 ,  *光ルミネセンス ,  *薄膜
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  電力密度 ,  *炭素量 ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 水素化非晶質炭化けい素 ,  PECVD ,  光ルミネセンス ,  Stokesシフトモデル ,  静的障害モデル ,  テイル状態photoluminescenceモデルの結合密度 ,  光ルミネセンス機構

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： PECVD ,  堆積 ,  水素化 ,  非晶質 ,  炭化 ,  けい素薄膜 ,  室温 ,  光ルミネセンス ,  炭素含有量 ,  プラズマ