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J-GLOBAL ID：201702261395452816   整理番号：17A0591717

SiO_xマトリックスに埋め込まれた(非晶質/ナノ結晶)Siの電荷貯蔵能ならびにMIS構造のメモリ性能に及ぼすSiO₂/(非晶質/ナノ結晶)Si-SiO_x/SiO_xN_y積層のトンネル層厚の影響

Charge Storage Capabilities of (a/nc) Si Embedded in SiO_x Matrix and the Influence of Tunneling Layer Thickness of SiO₂/(a/nc)Si-SiO_x/SiO_xN_y Stack on the Memory Performances of MIS Structure

著者 (10件)： TRINH Thanh Thuy (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  TRINH Thanh Thuy (HCM International Univ., HCM City, VNM) ,  SHIN Chonghoon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  NGUYEN Cam Phu Thi (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JANG Kyungsoo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  NGUYEN Van Duy (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Jae Hyeong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  DAO Vinh Ai (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  DAO Vinh Ai (Ho Chi Minh City Univ. Technol. and Education, VNM) ,  YI Junsin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3210-3216  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可搬型機器に関する開発研究の一環として,本論文では,SiO_xマトリックスに埋め込まれた(非晶質/ナノ結晶)Siの電荷貯蔵能ならびにMIS構造のメモリ性能に及ぼすSiO₂/(非晶質/ナノ結晶)Si-SiO_x/SiO_xN_y積層のトンネル層厚の影響を実験研究で調べた。その結果に基づいて,1)SiO_x中のナノ結晶Siは,「準量子井戸」の挙動を示すこと,2)保持特性は,トンネル層厚の増大によって改善できること,3)厚さ2.6nm超のSiO_xN_yトンネル層の使用で,MIS特性は,閾値電圧の97%超の保持を104s後に示すこと,などを記した。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *ナノ結晶 ,  *ケイ素 ,  マトリックス【母体】 ,  二酸化ケイ素 ,  *帯電 ,  *MIS構造 ,  半導体素子 ,  積層構造 ,  トンネル効果 ,  量子井戸 ,  保持容量 ,  膜厚 ,  窒化物 ,  容量電圧特性

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (10件)： マトリックス ,  非晶質 ,  ナノ結晶 ,  Si ,  電荷貯蔵 ,  能 ,  MIS構造 ,  SiO2 ,  トンネル ,  層厚