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J-GLOBAL ID：201702261416095733   整理番号：17A0767028

ナノ結晶Si量子ドットフローティングゲートMOS構造における電子と正孔の充電電流ピークの起源【Powered by NICT】

Origin of Electron and Hole Charging Current Peaks in Nanocrystal-Si Quantum Dot Floating Gate MOS Structure

著者 (8件)： HUANG Jian (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  CHEN Kun-Ji (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  FANG Zhong-Hui (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  GUO Si-Hua (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  WANG Xiang (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  DING Hong-Lin (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  LI Wei (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University) ,  HUANG Xin-Fan (National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 3  ページ： 220-223  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nanocrystai Si量子ドット(nc Si QD)フローティングゲートMOS構造は,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)と炉酸化技術を用いて作製した。capacitancevoltage(C V)測定におけるキャパシタンスヒステリシスは,nc-Si QDsの帯電効果を確認した。電子と正孔の両方の不斉充電電流ピークを初めて室温での電流-電圧(I V)測定で観察された。特性とこのnc-Si QD MOS構造におけるこれらの電流ピークの起源を系統的に調べた。さらに,種々の掃引速度でI-V測定における充電電流ピークから計算した電荷密度(10 ( 7)cm 2)は,各量子ドットは,1つの搬送波による荷電であることを示した。△VG,電子と正孔帯電ピーク間の帯電しきい値電圧の差は約3.5nmのサイズのnc-Siドットの量子閉じ込め効果によって説明できる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流 ,  *フローティングゲート ,  プラズマCVD ,  *ナノ結晶 ,  電圧 ,  *MOS構造 ,  酸化 ,  *ケイ素 ,  *正孔 ,  量子閉込め ,  帯電 ,  *量子ドット ,  閾値電圧 ,  電荷密度 ,  *充電電流

著者キーワード (1件)： 英語キーワード

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 結晶Si ,  量子ドット ,  フローティングゲート ,  MOS構造 ,  電子 ,  正孔 ,  充電電流 ,  起源