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J-GLOBAL ID：201702261497261179   整理番号：17A1359888

実験とモデリングに基づく3D技術におけるB TIの形状依存性に関する新たな洞察【Powered by NICT】

New insight on the geometry dependence of BTI in 3D technologies based on experiments and modeling

著者 (7件)： Garros Xavier (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Laurent Antoine (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Barraud Sylvain (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Lacord J. (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Faynot Olivier (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France) ,  Ghibaudo Gerard (IMEP-LAHC, Minatec/INPG, 38016 Grenoble, France) ,  Reimbold Gilles (CEA-LETI, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T134-T135  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,トランジスタのスケーリングとB TIの依存性を調べた。PBTIとは異なり,NBTIであるナノワイヤまたはFinFETのような狭いデバイスにおける強く増強された。トップ表面(TS)でより約2.5倍高いトランジスタの側壁(SW)での欠陥密度に起因することを3D静電シミュレーションにより明確に証明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  トランジスタ ,  *モデリング ,  欠陥密度 ,  *三次元 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： FinFET ,  NBTI ,  正バイアス温度不安定性 ,  *形態依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 実験 ,  モデリング ,  3D ,  Ti ,  形状依存性 ,  洞察