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J-GLOBAL ID：201702261527539955   整理番号：17A1254719

超薄シリコン層の高温アニーリングに及ぼす二重障壁構造における酸化けい素層の非化学量論性の影響【Powered by NICT】

Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer

著者 (2件)： Beck Romuald B. (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Poland) ,  Korb Pawel (Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 168-171  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属のシリコン層の代わりに二重障壁構造はこのような構造の興味深い様々な応用を可能にする可能性がある。観測は,これまで高温プロセスの間のこのような構造物の挙動は,酸素の利用可能性に依存することを指摘した。再結晶と酸化プロセスの間のシリコン原子の競争の結果に影響を及ぼす可能性がある。本研究の目的は,制御された雰囲気における高温プロセス時のこの構造のバリア酸化物層(従って超薄シリコン層との直接接触を持つ)中の酸素(すなわち非化学量論的組成)の過剰または欠乏の影響を実験的に研究することである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  再結晶 ,  *ケイ素 ,  *非化学量論 ,  *酸化 ,  *高温 ,  構造物 ,  *焼なまし ,  酸素
準シソーラス用語： 制御された雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン層 ,  アニーリング ,  障壁 ,  酸化 ,  けい素層 ,  非化学量論性