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J-GLOBAL ID：201702261615063337   整理番号：17A0704559

SiO_2薄膜の原子層蒸着のための効率的なモノアミノシラン前駆体の設計【Powered by NICT】

Design of efficient mono-aminosilane precursors for atomic layer deposition of SiO₂ thin films

著者 (4件)： Huang Liang (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, China. [e-mail]) ,  Han Bo ,  Fan Maohong ,  Cheng Hansong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 37  ページ： 22672-22678  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒドロキシル化SiO_2(001)表面上の異なるサイズアルキルアミノ配位子を有するモノ(アルキルアミノ)シラン前駆体の解離反応に関する第一原理研究を提示した。六選択前駆体の副産物の吸着エネルギー(ΔE_AD),反応エネルギー障壁(ΔE_a),及び脱着エネルギー(ΔE_DE)を比較し,温度のA LD窓を推定した。結果は,すべての六種の前駆体の解離反応はエネルギー的に有利であり,DMAS,DEAS,DPAS,DIPASとDSBASは比較的広いA LD窓を持つ低温蒸着に適していることを示した。添加では,反応速度定数の解析はDMAS,DEAS,DPASとDIPASは高堆積速度でSiO_2薄膜を成長させるために使用できることを示唆した。DPAS及びDIPASの高い反応速度定数と広いA LD窓のために,それらは低温でのA LDのための最も適切な前駆体である。これらの知見は,前駆体中の置換基の重要な役割を強調し,A LD過程による共形,緻密で高純度薄膜の蒸着のための良好な前駆体を設計するための方法を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  ヒドロキシ化 ,  吸着エネルギー ,  *薄膜 ,  *蒸着 ,  反応速度定数 ,  *前駆体 ,  堆積速度 ,  第一原理
準シソーラス用語： 高純度 ,  置換基 ,  脱着エネルギー ,  反応エネルギー ,  解離反応 ,  *シランプリカーサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  用水の化学的処理  (SC02040E) ,  その他の汚染原因物質  (SB05040W) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  原子層蒸着 ,  アミノシラン ,  前駆体 ,  設計