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J-GLOBAL ID：201702261730532059   整理番号：17A1038189

Zrドーピングの関数としてのHfO_2薄膜の強誘電性【Powered by NICT】

Ferroelectricity in HfO₂ thin films as a function of Zr doping

著者 (10件)： Karbasian Golnaz (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Tan Ava (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Yadav Ajay (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Sorensen Eric Martin Henry (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Serrao Claudy Rayan (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Khan Asif Islam (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Chatterjee Korok (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Sangwan Kim (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Chenming Hu (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2の強誘電特性に及ぼすZrドーピング,0%から100%へ,の影響を調べた。TiNおよびSi基板上に非晶質Hf_xZr_1 xO_2は原子層堆積(A LD)を用いて堆積し,その後,急速熱処理(RTP)ツールにおけるアニールした20nmスパッタTiNでキャップされた。実験に基づいて,50%までのZrドーピング多結晶Hf_xZr_1 xO_2における強誘電性をもたらし,70%以上のZrドーピングは反強誘電性を示した。著者らの結果は,強誘電HfO_2の特性はドーピングとアニーリング条件を変えることによって操作し,それによって将来のメモリと論理素子における統合のための強誘電HfO_2の柔軟性を実証できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反強誘電性 ,  *強誘電性 ,  柔軟性 ,  *ジルコニウム ,  焼なまし ,  RTA【熱処理】 ,  記憶装置 ,  多結晶 ,  *薄膜 ,  論理素子 ,  非晶質
準シソーラス用語： ALCVD ,  シリコンウエハ ,  窒化チタン ,  *ドーピング【薬】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Zr ,  ドーピング ,  関数 ,  薄膜 ,  強誘電性