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J-GLOBAL ID：201702261987127495   整理番号：17A0666066

光照射下でのターンオフアモルファスH fInZnO薄膜トランジスタの不安定性に及ぼすドレインバイアス応力の影響【Powered by NICT】

The Effect of Drain Bias Stress on the Instability of Turned-OFF Amorphous HfInZnO Thin-Film Transistors Under Light Irradiation

著者 (3件)： Kwon Dae Woong (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kim Jang Hyun (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Park Byung-Gook (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 153-158  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ハフニウム-indium-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタにおける,光及び負ゲートバイアス(V_G)/正ドレインバイアス(V_D)の同時ストレス下における安定性に関する行った包括的研究。負のしきい値電圧(V_th)シフトは,ストレス後の伝達特性で観察された。光照射下での(V_G= 5V,V_D=15V,とV_S=0V)および(V_G= 5V,V_D=0V,V_S=15V)の連続応力を通して,負V_thシフトはV_Gによってのみ影響されることを,ドレイン側エネルギーバンドはV_D誘発ドレイン側捕獲された正孔により低下局所であるがドレイン電流はソース側エネルギー障壁によって決定されるからである。さらに,ドレイン側捕獲された正孔はチャネル蓄積後のチャネル抵抗を減少させることによりON電流を増加させた。ゲートからドレインへの静電容量(C_GD)は,ドレイン側捕獲された正孔の存在と分布を明らかにする(V_G= 5V,V_D=15V,とV_S=0V)ストレスの前/後に測定した。ストレス後C_GDを外へ引っ張ることから,トラップされた正孔は蓄積された電子に応答して付加的な静電容量を導入し,静電容量は応力の垂直電場分布に従って分布していることを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  正孔 ,  電流 ,  *光照射 ,  酸化物 ,  静電容量 ,  *薄膜トランジスタ ,  捕獲 ,  *不安定性
準シソーラス用語： 電界分布 ,  エネルギー障壁 ,  ドレイン電流 ,  伝達特性 ,  閾値電圧 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光照射 ,  ターンオフ ,  アモルファス ,  薄膜トランジスタ ,  不安定性 ,  応力