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J-GLOBAL ID：201702262008347036   整理番号：17A0402808

バイアス基板上にrf反応性マグネトロンスパッタリングにより堆積したTiO_2薄膜の性質【Powered by NICT】

Properties of TiO₂ thin films deposited by rf reactive magnetron sputtering on biased substrates

著者 (8件)： Nezar Sawsen (Equipe Plasma & Applications, Division des Milieux Ionises et Lasers, Centre de Developpement des Technologies Avancees, Cite du 20 Aout 1956, Baba Hassen, Alger, Algeria) ,  Nezar Sawsen (Laboratoire des phenomenes de transfert, genie chimique, Faculte de Genie des procedes, USTHB, BP 32 El-alia, Bab Ezzouar, Alger, Algeria) ,  Saoula Nadia (Equipe Plasma & Applications, Division des Milieux Ionises et Lasers, Centre de Developpement des Technologies Avancees, Cite du 20 Aout 1956, Baba Hassen, Alger, Algeria) ,  Sali Samira (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE Algiers), Algeria) ,  Faiz Mohammed (Physics Department, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran, Saudi Arabia) ,  Mekki Mogtaba (Physics Department, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran, Saudi Arabia) ,  Laoufi Nadia Aiecha (Laboratoire des phenomenes de transfert, genie chimique, Faculte de Genie des procedes, USTHB, BP 32 El-alia, Bab Ezzouar, Alger, Algeria) ,  Tabet Nouar (Qatar Environment and Energy Research Institute, Hamad Bin Khalifa University (HBKU), Doha, Qatar)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 172-179  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO_2薄膜は,それらの広範な応用のために極めて重要である。基板を高温で加熱したTiO_2結晶相を得るためにした以前の公表された研究とは対照的に,この研究において,反応性rfマグネトロンスパッタリングを用いて室温でバイアス付およびバイアス無しの基板上に結晶TiO_2薄膜を堆積することが可能であることを示した。バイアス電圧は0Vから 100Vに変化させた。堆積した膜をX線回折(XRD),Fourier変換赤外分光法(FTIR),UV-vis分光法,Raman分光法,X線光電子分光法(XPS)及び原子間力顕微鏡(A FM)を用いて特性化した。平均結晶子サイズはX線回折を用いて推定した。結果は負のバイアスの適用は,膜の表面粗さに影響し,ルチル相の形成に有利であることを示した。膜基板バイアス電圧の二乗平均平方根粗さ(R_rms),平均粒径および光学バンドギャップは0から 100Vに変化させた。UV-可視透過スペクトルは,膜が可視領域で透明で,紫外領域で強く吸収することを示した。本研究は基板をバイアスし室温で設計された特性のTiO_2結晶化した薄膜を堆積させるために有望で効果的な代替法であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  *反応性 ,  ルチル ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  光学ギャップ ,  キャラクタリゼーション ,  *バイアス ,  Raman分光法 ,  結晶粒径
準シソーラス用語： 可視領域 ,  透過スペクトル ,  バイアス電圧 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiO_2薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  アナターゼ ,  ルチル ,  バイアス電圧

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイアス ,  RF ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  薄膜 ,  性質