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J-GLOBAL ID：201702262021009706   整理番号：17A0129122

電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング

Low-damage Recess Etching of AlGaN/GaN Hetero-structure by Electrochemical Process

著者 (3件)： 熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  植村圭佑 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 357(CPM2016 90-112)  ページ： 45-50  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として,電気化学加工技術の検討を行った。AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学測定から,AlGaN層もしくはGaN層で生成される2種類の光励起キャリアは,照射光波長及び印加電圧により分離して固液界面に供給できることを明らかにした。GaN層で光励起されたキャリアが電気化学反応に寄与すると局所的にエッチングが進行するのに対し,AlGaN層で光励起されたキャリアのみを電気化学反応に利用すると平坦なエッチング面が得られることを見出した。さらに,エッチングの自己停止機構が発現し,自己停止深さはエッチング中の照射光強度により制御できることを明らかにした。これらの優れた特徴と低損傷性を有する電気化学加工技術は,AlGaN/GaNヘテロ構造のリセスエッチングに有望な手法であるといえる。(著者抄録)

シソーラス用語： 電解加工 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  *エッチング ,  *HEMT

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学加工 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  損傷 ,  エッチング