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J-GLOBAL ID:201702262056203092   整理番号:17A0632770

連続波テラヘルツ分光法を使うシリコンウエハのテラヘルツ透過特性

Terahertz transmission properties of silicon wafers using continuous-wave terahertz spectroscopy
著者 (5件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 045201,1-6  発行年: 2017年04月 
JST資料番号: C0354C  ISSN: 0957-0233  CODEN: MSTCEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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標題の透過特性を調べた。チューナブルレーザと分布フィードバックレーザダイオードを使って,CW-THz分光のための安定なチューナブルビート源を実行できる。THz放射は100~800GHzの周波数領域で,光伝導アンテナでの光混合によって発生する。またCW-THz波形をビート周波数を変えて測定し,反復性を確認する。THz周波数のピークを高速Fourier変換で計算した。CW-THz分光法の可能性を,種々の抵抗率,移動度及びキャリア濃度を持つSiウエハのTHzスペクトルによって説明した。結果はより低い抵抗率を持つSiウエハがより多いTHz波を吸収することを示す。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 

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