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J-GLOBAL ID:201702262060553787   整理番号:17A1167593

BaTi_0Cu3O6.95Co_0 0.05O_3膜を用いた柔軟性で,半透明,および無機抵抗メモリ【Powered by NICT】

Flexible, Semitransparent, and Inorganic Resistive Memory based on BaTi0.95Co0.05O3 Film
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号: 26  ページ: ROMBUNNO.201700425  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ペロブスカイトセラミックと単結晶は一般的に硬質とそれらの小さな最大弾性歪に起因する脆性。,厚さ10μmのマイカ基板上にSrRuO_3(SRO)バッファ層を持つ大規模BaTi_0 0.95Co_0 0.05O_3(BTCO)膜が小さい曲げ半径1.4mmの柔軟で500 800nmの波長で可視光のための半透明。マイカ/SRO/BTCO/Au細胞は双極性抵抗スイッチングを示し,高/低抵抗比は50に達した。抵抗スイッチング特性は360000サイクルのために書かれた/消去2.2mm半径記憶後も記憶半径3mmに曲げ10000時間後に明らかな変化を示さなかった。最も重要なことは,記憶は25 180°Cまたは500°Cでアニールした後,適切に動作した。柔軟で透明な酸化物抵抗メモリは,スマートウェアラブルデバイスとフレキシブルディスプレイスクリーンでの応用に良好な見通しを持っている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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トランジスタ  ,  有機化合物の電気伝導  ,  有機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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