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J-GLOBAL ID：201702262064185007   整理番号：17A0619922

低圧化学蒸着による大面積WS₂フレークの制御した合成と機構

Controlled synthesis and mechanism of large-area WS₂ flakes by low-pressure chemical vapor deposition

著者 (9件)： HU Song (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  HU Song (Key Lab. Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, Nanjing, CHN) ,  WANG Xiangfu (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  WANG Xiangfu (Key Lab. Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, Nanjing, CHN) ,  MENG Lan (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  MENG Lan (Key Lab. Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, Nanjing, CHN) ,  YAN Xiaohong (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  YAN Xiaohong (Key Lab. Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, Nanjing, CHN) ,  YAN Xiaohong (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 12  ページ： 7215-7223  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積WS₂フレークをSiO₂(300nm)/Si基板上に低圧化学蒸着(LPCVD)により作製し,その成長機構を提案した。S前駆体とW前駆体および基板を3つの異なる温度に設置することにより,成長パラメータを独立に制御することができた。S前駆体導入の時間,WO₃前駆体の温度,および成長温度の3つの成長パラメータが,WS₂フレークの形態に決定的な役割を果たすことがわかった。WS₂フレークの寸法と型はS前駆体,W前駆体およびW原子とS原子の比により実質的には決められることが明らかになった。W/S比が1:2より小さい場合はWS₂フレークの形状は三角形か六角形になる。W/S>1:2ではフレークとWナノワイヤが同時に生成される。

シソーラス用語： *LPCVD ,  *タングステン化合物 ,  *多硫化物 ,  フレーク ,  二酸化ケイ素 ,  前駆体 ,  パラメータ ,  ナノワイヤ ,  反応機構 ,  温度条件 ,  表面積 ,  結晶成長 ,  薄膜成長 ,  蒸着膜 ,  モルフォロジー ,  比率 ,  原子 ,  タングステン ,  硫黄
準シソーラス用語： *二硫化タングステン ,  原子比 ,  成長温度 ,  成長機構 ,  生長パラメータ ,  大面積

分類 (1件)： 硫黄とその化合物  (YB02020L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低圧化学蒸着 ,  大面積 ,  フレーク