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J-GLOBAL ID：201702262158108305   整理番号：17A0953357

SiH_x⁺(x≦4)イオンによるHおよびH₂の捕獲:ランジュバンモデルと量子統計モデルの比較

Capturing H and H₂ by SiH_x⁺ (x ≦ 4) ions: Comparison between Langevin and quantum statistical models

著者 (5件)： NGUYEN Trong-Nghia (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  NGUYEN Trong-Nghia (Hanoi Univ. Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  LEE Yun-Min (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Jong-Shinn (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Ming-Chang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 026101.1-026101.6  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着堆積(PECVD)条件下では,H,H₂およびSiH_x⁺(x≦4)イオンが共存する。高レベルの量子化学および統計理論計算によってこれらの相互作用の運動を調べ,結果を古典的ランジュバン値(温度に関わらず~2×10^-9cm³分子^-1s^-1)と比較した。結果は,SiH_x⁺(x≦4)によるHの捕獲に対して両理論は因子2~4の範囲で一致し,一方,SiH_x⁺(x≦3)によるH₂の捕獲に対しては,近代理論は最大1桁以上大きな値と弱い温度依存性を与え,それは反応パスの退化と活性化エントロピーの増大に起因した。本研究におけるSiH_x⁺イオン(x≦5)の形成熱と構造パラメータは,既存の実験データと良く一致した。実際的応用のため,a-Si:H膜のPECVDに関わるいろいろなプロセスをモデル化するための速度定数表を与えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *捕獲 ,  *水素 ,  *シラン ,  *イオン ,  *プラズマCVD ,  Langevin方程式 ,  量子統計力学 ,  構造パラメータ ,  *非晶質
準シソーラス用語： PECVD

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (44件)：

• A. Matsuda, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 7909 (2004).
• S. Nishizaki, K. Ohdaira, and H. Matsumura, Thin Solid Films 517, 3581 (2009).
• S. W. Hu, Y. Wang, X. Wang, T. Chu, and X. Liu, J. Phys. Chem. A 107, 9189 (2003).
• B. Gao, Phys. Rev. A 83, 062712 (2011).
• K. M. Lin, C. T. Hung, F. N. Hwang, M. R. Smith, Y. W. Yang, and J. S. Wu, Comput. Phys. Commun. 183, 1225 (2012).

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン ,  H2 ,  捕獲 ,  量子統計 ,  モデル