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J-GLOBAL ID：201702262166913278   整理番号：17A0451426

Mg_2Sn_0 0.75Ge_0の熱電特性に及ぼす電荷キャリアとドーピングサイトの影響【Powered by NICT】

The effect of charge carrier and doping site on thermoelectric properties of Mg₂Sn_0.75Ge_0.25

著者 (12件)： Saparamadu Udara (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Mao Jun (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Mao Jun (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Dahal Keshab (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Zhang Hao (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Zhang Hao (Department of Chemistry and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Tian Fei (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Song Shaowei (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Song Shaowei (Program of Material Science and Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Liu Weishu (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA) ,  Liu Weishu (Department of Materials Science & Engineering, South University of Science & Technology of China, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  Ren Zhifeng (Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 124  ページ： 528-535  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg_2Sn_0 0.75Ge_0 0.25は最近SnサイトへのSbドーピングによる~54μW cm~ 1K~ 2の高い力率のために723Kまでの室温の温度範囲で発電のための有望な熱電材料であることを示した。合金化効果から状態有効質量と弱い電子散乱の増強された密度は高い力率(PF)と高い性能指数(ZT)の主な理由であると信じられている。本研究では,キャリアドナーの正しい選択は,高力率を得るために重要な役割を果たすことを示した。Mg_2Sn_0 0.75Ge_0 0.25におけるSnサイトでのMgサイトとBiおよびPでのキャリアドナーYとLaの影響を系統的に調べた。Snサイトでの電荷ドナーであるPFとZTを高めるのにMgサイトよりもはるかに効果的であることが分かった。BiドープMg_2Sn_0 0.73Bi_0 0.02Ge_0 0.25は723Kで323Kと高温側に固定低温側673Kで~1.4と577Kで~54μW cm~ 1K~ 2のピークPF,工学性能指数(ZT)~0.76であった,(PF)~2.05Wm~ 1K~ 1のピークZTを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  電子散乱 ,  ランタン ,  熱電材料 ,  性能指数 ,  アンチモン ,  *電荷 ,  合金化 ,  低温 ,  力率 ,  ドナー ,  有効質量 ,  ビスマス
準シソーラス用語： *電荷キャリア ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Mg_2Sn_0 0.75Ge_0 25 ,  熱電 ,  高力率 ,  キャリアドナー

分類 (3件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  組織的硬化現象  (WB01020C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱電特性 ,  電荷キャリア ,  ドーピング