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J-GLOBAL ID：201702262189615486   整理番号：17A0654502

バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の電気的特性に関するX線とγ線照射間の比較研究

A Comparative Study Between X-rays and Gamma-Rays Irradiation on Electrical Characteristics of Bipolar Junction Transistors (BJTs)

著者 (5件)： CHEE Fuei Pien (Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS) ,  TIWARI Anand Kumar (Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS) ,  ALIAS Afishah (Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS) ,  SALLEH Saafie (Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS) ,  AMIR Haider F. Abdul (Universiti Teknologi Mara, Selengor, MYS)
資料名： Advanced Science Letters  (Advanced Science Letters)
巻： 23  号： 2  ページ： 1416-1421  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W2378A  ISSN： 1936-6612  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の電気的特性に及ぼすX線とγ線照射の影響の比較研究を行った。従来のバイポーラ技術研究の多くは材料やシールド研究に特化していたが,著者らは異なる動作条件およびパラメータでのγ照射損傷範囲に研究を広げた。すべての監視作業を現場,またはインライン計測で行った。この計測手法は標的素子の電気特性のデータ監視を照射後だけ行う従来の方法と異なり,結果の精度向上およびプロセス監視を強化した.γ線およびX線からの高いエネルギー光子は,より多くの価電子がバンドギャップを横切って励起され,後に電子欠陥,すなわち正電荷を持つホールを残す,のを起こした。再結合の確率はベース領域のホールの密度の増加により上昇した。かくしてコレクタ領域に達する電子フラックスは減少した。BJTは,オンモードに比較した時X線およびγ線照射両方に対しオフモードでより脆弱であった。

シソーラス用語： *X線照射 ,  バイポーラトランジスタ ,  *電気的性質 ,  電離放射線 ,  照射損傷 ,  バンドギャップ ,  再結合 ,  放射線束 ,  *γ線照射
準シソーラス用語： *バイポーラ接合トランジスタ ,  電子フラックス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイポーラ接合トランジスタ ,  BJT ,  電気的特性 ,  X線 ,  γ線 ,  研究