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J-GLOBAL ID：201702262393427776   整理番号：17A1627402

同じ基板上に作製した金属-強誘電体-半導体構造の誘電パラメータのダイオードへのダイオード変動【Powered by NICT】

Diode-to-diode variation in dielectric parameters of identically prepared metal-ferroelectric-semiconductor structures

著者 (4件)： Cetinkaya H.G. (Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey) ,  Yildirim M. (Department of Mechatronics Engineering, Duezce University, 81620, Duezce, Turkey) ,  Durmus P. (Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey) ,  Altindal S. (Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 728  ページ： 896-901  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,総数58ダイオードのAl/Bi_4Ti_3O_12/p-Si構造の形で作製し,複素誘電定数(ε’とε’’)の実部と虚部とこれらのダイオードの複素電気係数(M’とM’’)とac電気伝導率(σ_ac)の電圧依存性を調べた。もこれらのパラメータが1つの試料から一方に変化するかどうか,どのような分布の同様に作製された試料に存在する決定することを目的とした。言及したパラメータ(ε′,ε′′,M′,M′′とσ_ac)は室温で500kHzで 4Vと4Vの間で測定した静電容量と導電率データを用いて計算した。実験結果は,これら全てのパラメータは,特に空乏と蓄積領域で印加バイアス電圧の強い関数であることを示した。これらの変化は表面状態の再構成と再秩序化と外部電場下での緩和時間の結果である。に加えて,全58ダイオードのための二重Gauss分布を明らかにした誘電パラメータの値間のダイオード間変動が存在することが分かった。このように,結果は,単一バイアス電圧値で単一試料のためにこれらのパラメータを調べる誘電特性および電気弾性率に十分な情報を供給できないことを確認した。それ故これらのパラメータは同じ半導体ウエハ上に同様に調製した試料に対してもバイアス電圧の広い範囲で計算しなければならない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイオード ,  静電容量 ,  正規分布 ,  複素誘電率 ,  *半導体 ,  電気伝導率 ,  誘電性 ,  再構成 ,  *強誘電体 ,  電圧依存性 ,  緩和時間
準シソーラス用語： 電気弾性 ,  外部電場 ,  バイアス電圧 ,  印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電特性 ,  電気係数 ,  Al/Bi_4Ti_3O_12/p-Si(MFS)構造 ,  恒等的に作製したダイオード

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 作製 ,  強誘電体 ,  パラメータ ,  ダイオード