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J-GLOBAL ID：201702262394046462   整理番号：17A1261678

Green関数法によるしきい値より下の領域におけるDG-MOSFETの解析的モデリング【Powered by NICT】

Analytical Modeling of DG-MOSFET in Subthreshold Regime by Green’s Function Approach

著者 (3件)： Nandi Ashutosh (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Kurukshetra, Kurukshetra, India) ,  Pandey Nilesh (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Kurukshetra, Kurukshetra, India) ,  Dasgupta S. (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3056-3062  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,運転のサブしきい値領域におけるGreen関数法を用いた二重ゲートMOSFETの解析モデルを開発した。Green関数法による二次元Poisson方程式の厳密解析解を再定義し,Fourier係数をモデルの結果に直接影響を持つことを正確に計算した。ポテンシャル方程式を導出するときアプローチは,二次元混合境界条件とマルチゾーン法を考察した。両方の酸化物とシリコン領域における二次元Poisson方程式を解くためのGreen関数法は,チャネル電位,サブ閾値電流(I_sub),及びサブしきい値勾配が高いほど低t_si/t_ox酸化膜厚比で設計された長い及び短いチャネル素子を正確に予測できることが観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 境界条件 ,  電位 ,  Poisson方程式 ,  *Green関数 ,  酸化物 ,  解析的解法 ,  *MOSFET ,  ケイ素 ,  解析モデル ,  *モデリング ,  チャネル ,  二次元 ,  膜厚
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Green関数法 ,  しきい値 ,  dG ,  MOSFET ,  解析 ,  モデリング