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J-GLOBAL ID：201702262443285842   整理番号：17A1139849

単分子層MoS₂ FETにおけるバンドテイル界面状態と量子キャパシタンス

Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS₂ FET

著者 (3件)： FANG Nan (Univ. Tokyo) ,  NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo) ,  NAGASHIO Kosuke (JST-PRESTO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-C16-11  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単分子層 ,  *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *バンド構造 ,  *表面準位 ,  静電容量 ,  *状態密度 ,  *容量電圧特性 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 界面状態 ,  キャパシタンス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単分子層 ,  MoS2 ,  FET ,  バンド ,  テイル ,  界面状態 ,  量子 ,  キャパシタンス