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J-GLOBAL ID：201702262446579252   整理番号：17A1216624

研磨したウエハのサイト平坦度値に及ぼす洗練過程の影響【Powered by NICT】

Influence of pre-polishing process on site flatness values of polished wafers

著者 (9件)： Zhong Genghang (General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Zhong Genghang (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Ning Yongduo (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Zhou Qigang (General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China) ,  Bian Yongzhi (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Wang Xin (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Qu Xiang (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Wang Lei (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China) ,  Zhao Erjing (GRINM Semiconductor Materials Co.,Ltd., Beijing 100088, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 68  ページ： 15-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体シリコン研磨ウエハの調製は多段製造プロセスである。表面を研磨したウエハのSFQR(平坦前面部位最小二乗範囲)値の異なる事前研磨プロセスの影響を分析した。本研究では,事前研磨プロセスは両面ラッピングとエッチング,両面研削と裏面研磨を含んでいた。それらの中で,エッチングプロセスは異なる除去量と異なる回転速度で苛性エッチングと酸エッチングに分割した。実験結果は,異なる事前研磨プロセスは,研磨したウエハのSFQR値に有意な影響を持つことを示した。苛性エッチング,両面研削及び背面研磨は研磨したウエハのSFQRに適しているが,酸エッチングウエハの中心領域はエッチング機構により悪化する研磨ウエハのSFQRを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産工程 ,  最小二乗法 ,  回転数 ,  *研磨 ,  ラッピング ,  エッチング ,  研削
準シソーラス用語： 平面度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SFQR ,  エッチング ,  研削 ,  CMP(化学的機械的研磨)

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 研磨 ,  ウエハ ,  平坦度 ,  過程