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J-GLOBAL ID:201702262505750828   整理番号:17A0697733

Si(100)表面の初期酸化中の酸素輸送のメカニズム:ReaxFF分子動力学シミュレーション研究【Powered by NICT】

Micromechanism of oxygen transport during initial stage oxidation in Si(100) surface: A ReaxFF molecular dynamics simulation study
著者 (8件):
資料名:
巻: 406  ページ: 178-185  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Si(100)表面の初期酸化は反応性力の場分子動力学(ReaxFF MD)シミュレーションにより本研究で調べ,酸素輸送は初期酸化過程の主要な問題として作用したことを発現した。酸化のために,Si(100)表面に垂直な酸素輸送をブロックし,さらに深い層の酸化を防止する酸化物層で発生した圧縮応力。とは対照的に,温度が上昇するとより深い層への酸素輸送に有益であった熱アクチュエーション。,Si(100)表面の初期酸化中の酸素輸送で見られた競争機構。室温では,酸素輸送は圧縮応力のブロッキング効果によって支配されていたので,より均一な界面とより化学量論的酸化物構造とより良い品質の酸化物膜が得られた。実際,本研究で提示した機構は,他の自己制限酸化(例えば,金属酸化)に応用でき,高性能電子デバイスの設計に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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その他の無触媒反応  ,  酸化物薄膜  ,  電子分光スペクトル 

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