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J-GLOBAL ID：201702262528509789   整理番号：17A1355018

亜鉛酸化物薄膜トランジスタに及ぼすHeプラズマ処理の影響【Powered by NICT】

Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors

著者 (5件)： Shinya Shotaro (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan) ,  Kaneko Toyokazu (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan) ,  Koyama Masatoshi (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan) ,  Maemoto Toshihiko (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan) ,  Sasa Shigehiko (Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 66-67  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜トランジスタ(TFT)の接触抵抗を低減するためのHeプラズマ処理の効果について報告する。Ti(20 nm)/Au(40 nm)Ohm接触を持つTFTは,Ti/Au Ohm接触形成前のHeプラズマへのオーミック接触面積を曝露することにより作製した。Schottky様挙動は,Heプラズマ処理によるオーミック挙動に変化した,ZnO TFTの接触抵抗を低減するための処理の有効性を示した。興味深いことに,ZnOのチャネル部分はHeプラズマで処理していないしたZnOチャネル層のシート抵抗は53.8GΩ/sqから6.41GΩ/sqに減少した。20μmゲートTFTの相互コンダクタンスは4.6×10~ 6mmから1.2×10~ 4mmに改善された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘリウム ,  Ohm接触 ,  *プラズマ処理 ,  チャネル ,  *酸化亜鉛 ,  接触抵抗 ,  シート抵抗 ,  *薄膜トランジスタ ,  *プラズマ ,  相互コンダクタンス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  He ,  プラズマ処理