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J-GLOBAL ID：201702262539968129   整理番号：17A1140779

(001)Si基板上にエピタキシャル成長したHfO₂系絶縁膜への常圧プラズマ照射効果

著者 (6件)： 鎌田大輝 (大阪府大 工) ,  高田賢志 (大阪府大 工) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A204-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *エピタクシー ,  *酸化ハフニウム ,  *絶縁膜 ,  *圧力 ,  *プラズマ曝露 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜成長 ,  *イットリウム ,  *ドーピング ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  不揮発性メモリ ,  *FeRAM ,  誘電性 ,  エキシマレーザ ,  準安定相 ,  発光スペクトル ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： Si基板 ,  常圧

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  HfO2 ,  絶縁膜 ,  常圧 ,  プラズマ ,  照射効果