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J-GLOBAL ID：201702262597608015   整理番号：17A1088308

ミクロンスケールのフィン幅を持つGaNフィン-HEMTsの研究

Investigation of GaN Fin-HEMTs with Micron-scale Fin Width

著者 (4件)： CHANG Li-Cheng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  YANG Ming (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  JIANG Yi-Hong (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Chao-Hsin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10104  ページ： 101041F.1-101041F.6  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,通常オフのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスター(HEMTs)(Eモード操作)を目指して,閾電圧(VTH)を正の値に調整するためにドライエッチングによりフィンの形のチャネルを利用した。ゲート金属は,AlGaN/GaN半導体に直接堆積させてSchottky接点を形成した。フィンの幅がミクロンサイズでもVTHのシフトは観測可能で,100nmまでの小さな幅でVTHの値はより正にシフトした。これは,サイドゲートでのSchttky接点により形成された減衰層がチャネル中の2次元電子気体もまた減衰させる効果に起因する。また,著者らはフィン幅が70nm以下になったら,Eモード操作が達成できると予測している。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *HEMT ,  *電圧 ,  *半導体金属接合
準シソーラス用語： GaN ,  *FinFET ,  閾電圧 ,  Schottky接合

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： スケール ,  フィン ,  GaN ,  研究