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J-GLOBAL ID：201702262720396706   整理番号：17A0795078

2次元4側面位置有感シリコン光電子増倍管のための新しい歪補正アルゴリズム【Powered by NICT】

New Distortion Correction Algorithm for Two-Dimensional Tetra-Lateral Position-Sensitive Silicon Photomultiplier

著者 (8件)： Zhao Tianqi (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Li Baicheng (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Li Chenhui (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Wang Ruiheng (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Miao Quanlong (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Liang Kun (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Yang Ru (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China) ,  Han Dejun (College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 228-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元テトララテラル位置有感Si光電子増倍管(SiPM),エピタキシャル消光抵抗と本論文で電荷分割のための固有連続キャップ抵抗層を示した。装置は出力電極の魅力的な利点と簡単な読出しエレクトロニクス,高位置分解能,光子数の識別,高いピーク光子検出効率(PDE),エピタキシャル消光抵抗器を持つ規則的なSiPMに匹敵し,簡単な作製技術を持っている。バレル位置歪みを解析し,新しい歪補正アルゴリズムを導入することにより大きく低減した。結果として,位置測定誤差は2.77mm×2.77mm,~41%の幾何学的曲線因子,有効セルピッチ 10μm,~30%のピーク偏微分方程式の活性面積を持つ素子の109.7μm±101.5μmから47.8μm±37.6μmに減少した。平均光電子数は52から1040に増加すると,位置分解能は前置増幅器なしで182.9μmから19.4μmに改善された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 前置増幅器 ,  エピタクシー ,  *アルゴリズム ,  抵抗器 ,  消光 ,  *二次元 ,  *光電子増倍管 ,  *光電子 ,  測定誤差 ,  *歪補正
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  光子検出効率 ,  位置分解能 ,  SiPM ,  *シリコン光電子増倍管 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2次元 ,  シリコン光電子増倍管 ,  歪補正 ,  アルゴリズム