文献

J-GLOBAL ID：201702262786568639   整理番号：17A0452051

非融解紫外レーザ熱アニーリング中のp~+/nシリコン超浅接合形成に及ぼすレーザパルスの数の影響【Powered by NICT】

Effect of number of laser pulses on p⁺/n silicon ultra-shallow junction formation during non-melt ultra-violet laser thermal annealing

著者 (7件)： Jung Sang Min (School of Integrated Technology, Yonsei University, 161-1, Songdo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Jung Sang Min (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, 162-1, Songo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Park Chul Jin (School of Integrated Technology, Yonsei University, 161-1, Songdo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Park Chul Jin (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, 162-1, Songo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Jeong Hongsik (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, 162-1, Songo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Shin Moo Whan (School of Integrated Technology, Yonsei University, 161-1, Songdo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea) ,  Shin Moo Whan (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, 162-1, Songo-dong, Yeonsu-gu, Incheon 406-840, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 60  ページ： 34-39  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非溶融紫外レーザ(波長355nm)焼なまし中のp~+/nシリコン超浅接合の形成に及ぼすレーザパルスの数の効果を調べた。COMSOL Multiphysicsによる計算表面ピーク温度により,非溶融レーザ熱アニーリングは130mJ/cm~2のエネルギー密度下で行った。付加的なプレアニールなしレーザパルスの数を増加させるシート抵抗と接合深さプロファイルを分析することにより良好な電気的性質と浅い接合深さを達成するための効果的アニーリング法であることを示した。レーザパルスの最適数は接合深さの更なる増加を伴わずにドーパントの活性化の高い度合いを達成するための八であった。もRaman分光法によって明らかにされた完全に回復した結晶化度に基づいて試料の改善された電気特性を説明した。,中程度のエネルギー密度のレーザパルスの数を制御する付加的なプレアニールなし有望なレーザアニーリング法であることが示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  Raman分光法 ,  エネルギー密度 ,  焼なまし ,  結晶度 ,  シート抵抗 ,  シミュレーテッドアニーリング ,  深さプロフィル ,  *レーザパルス ,  ドーパント ,  *レーザ ,  *紫外レーザ ,  レーザアニーリング
準シソーラス用語： *極浅接合 ,  *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： レーザアニーリング ,  紫外レーザ ,  極浅接合 ,  シリコン ,  Raman結晶度

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 融解 ,  紫外レーザ ,  熱アニーリング ,  シリコン ,  超浅接合 ,  レーザパルス ,  数