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J-GLOBAL ID：201702262838355153   整理番号：17A1767233

FinFETにおけるナノスケール挿入ゲート構造を用いた電気特性の増強

Enhancement of Electrical Characteristics Using a Nanoscale Inserted Gate Structure in FinFETs

著者 (3件)： AHN Joonsung (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  YOO Keon-Ho (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Whan (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 7223-7226  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子の小型化に関する研究の一環として,本論文では,FinFETについて,ナノスケール挿入ゲート構造を用いた電気特性の増強を,TCADシミュレータを用いて調べた。その結果に基づいて,1)このゲート構造を有するFinFETの電気的性質は,挿入ゲート構造の深さと厚さとの変化によって,有意な影響を受けること,2)この構造のFinFETのオン電流レベルおよびサブ閾値スイングは,伝統的なFinFETと比べて改善が見られること,などを記した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ゲート【半導体】 ,  ナノ構造 ,  CAD【計算機】 ,  シミュレータ ,  サイズ効果 ,  性能指数
準シソーラス用語： *FinFET ,  TCAD ,  サブ閾値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  ナノスケール ,  ゲート ,  電気特性 ,  増強