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J-GLOBAL ID：201702262862919749   整理番号：17A0402933

プリンテッドエレクトロニクスのための室温処理した酸化インジウムナノ粒子薄膜に及ぼすNaClの影響【Powered by NICT】

The effect of NaCl on room-temperature-processed indium oxide nanoparticle thin films for printed electronics

著者 (16件)： Haeming M. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Baby T.T. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Nanotechnology, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Garlapati S.K. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Nanotechnology, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Garlapati S.K. (Technische Universitaet Darmstadt, KIT-TUD Joint Research Laboratory for Nanomaterials, Jovanka-Bontschits-Str. 2, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Krause B. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Hahn H. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Nanotechnology, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Hahn H. (Technische Universitaet Darmstadt, KIT-TUD Joint Research Laboratory for Nanomaterials, Jovanka-Bontschits-Str. 2, 64287 Darmstadt, Germany) ,  Hahn H. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Helmholtz Institute Ulm, Albert-Einstein-Allee 11, 89081 Ulm, Germany) ,  Dasgupta S. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute of Nanotechnology, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Dasgupta S. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Weinhardt L. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Weinhardt L. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Chemical Technology and Polymer Chemistry (ITCP), 76128 Karlsruhe, Germany) ,  Weinhardt L. (University of Nevada, Las Vegas (UNLV), Department of Chemistry and Biochemistry, Las Vegas, NV 89154-4003, USA) ,  Heske C. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Photon Science and Synchrotron Radiation (IPS), D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Heske C. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Chemical Technology and Polymer Chemistry (ITCP), 76128 Karlsruhe, Germany) ,  Heske C. (University of Nevada, Las Vegas (UNLV), Department of Chemistry and Biochemistry, Las Vegas, NV 89154-4003, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 912-919  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルエレクトロニクス産業における主要な課題の一つは,周囲条件で,ロールツーロール印刷技術と互換性のある安価な高分子基板上の高移動度電界効果トランジスタ(FET)の作製である。これに関連して,12cm~/Vs以上の非常に高い電界効果移動度(μ_FET)を有するプリントFETの室温作製に向けての新規かつ一般的経路が最近開発された。,化学的凝集により調製した,ナノ粒子(NP)薄膜の化学構造の詳細な理解は,このようなデバイスの電荷輸送特性のさらなる最適化に必須である。本研究では,このようにして,X線光電子分光法(XPS)及び原子間力顕微鏡(A FM)を用いたNaCl無添加酸化インジウムNP薄膜を解析した。インクへの塩化ナトリウム添加剤の導入は大きく変化膜の形態とNPシェルの修飾をもたらすことを実証した。結果は,添加剤の結果として,個々のインジウム酸化物NPs間の電荷輸送障壁が低下し,顕著な濃度炭素質残留物の存在にもかかわらず長距離電荷パーコレーション経路を促進することを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パーコレーション ,  最適化 ,  *ナノ粒子 ,  X線光電子分光法 ,  炭素 ,  原子間力顕微鏡 ,  *塩化ナトリウム ,  電荷 ,  *酸化インジウム
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  化学構造 ,  電界効果移動度 ,  ロール・ツー・ロール方式 ,  フレキシブルエレクトロニクス ,  *プリンテッドエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： プリントエレクトロニクス ,  酸化インジウム ,  ナノ粒子 ,  X線光電子分光法(XPS) ,  半導体 ,  凝集

分類 (2件)： 防食  (WB03040M) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： プリンテッドエレクトロニクス ,  室温 ,  酸化インジウム ,  ナノ粒子 ,  薄膜 ,  NaCl