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J-GLOBAL ID:201702262910960852   整理番号:17A1151520

8mm角CVDダイヤモンド単結晶基板上にホモエピタキシャル成長させた試料の電荷キャリア輸送特性評価

著者 (9件):
資料名:
巻: 2017  ページ: ROMBUNNO.2L14  発行年: 2017年08月29日 
JST資料番号: S0818B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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8mm角CVDダイヤモンド単結晶基板上にホモエピタキシャル成長させた試料の電荷キャリア輸送特性を評価した。電荷収集効率,エネルギー分解能はHP/HT IIa型単結晶ダイヤモンド基板上に同条件で合成した試料と概ね同等であったが,μτ積は1桁程度劣っていた。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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半導体結晶の電気伝導  ,  放射線検出・検出器 

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