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J-GLOBAL ID：201702262910960852   整理番号：17A1151520

8mm角CVDダイヤモンド単結晶基板上にホモエピタキシャル成長させた試料の電荷キャリア輸送特性評価

著者 (9件)： 平野慎太郎 (北大 大学院工学院) ,  金子純一 (北大 大学院工学研究院) ,  嶋岡毅紘 (北大 大学院工学院) ,  新名宏章 (北大 大学院工学院) ,  坪田雅功 (北大 大学院工学研究院) ,  伊藤彰悟 (北大 大学院工学院) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  梅沢仁 (産業技術総合研)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.2L14  発行年： 2017年08月29日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 8mm角CVDダイヤモンド単結晶基板上にホモエピタキシャル成長させた試料の電荷キャリア輸送特性を評価した。電荷収集効率,エネルギー分解能はHP/HT IIa型単結晶ダイヤモンド基板上に同条件で合成した試料と概ね同等であったが,μτ積は1桁程度劣っていた。(著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  基板 ,  *ホモエピタクシー ,  キャリア ,  輸送現象 ,  効率 ,  エネルギー分解能 ,  キャリア移動度 ,  キャリア寿命 ,  *半導体放射線検出器
準シソーラス用語： CVDダイヤモンド ,  *キャリア輸送 ,  *単結晶ダイアモンド ,  電荷キャリア ,  電荷収集効率

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (8件)： CVDダイヤモンド ,  単結晶基板 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  試料 ,  電荷キャリア ,  輸送特性 ,  評価