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J-GLOBAL ID：201702262927410870   整理番号：17A1444602

ホロー陰極活性化PECVDプロセスを用いたけい素含有プラズマ高分子コーティングの障壁性能に適用されるパワーの影響【Powered by NICT】

Influence of the applied power on the barrier performance of silicon-containing plasma polymer coatings using a hollow cathode-activated PECVD process

著者 (4件)： Top Michiel (Fraunhofer Institute for Organic Electronics, Electron Beam and Plasma Technology FEP, Dresden, Germany) ,  Top Michiel (Department of Applied Physics, University of Groningen, Groningen, The Netherlands) ,  Fahlteich John (Fraunhofer Institute for Organic Electronics, Electron Beam and Plasma Technology FEP, Dresden, Germany) ,  De Hosson Jeff T. M. (Department of Applied Physics, University of Groningen, Groningen, The Netherlands)
資料名： Plasma Processes and Polymers  (Plasma Processes and Polymers)
巻： 14  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700016  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1950A  ISSN： 1612-8850  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホロー陰極アーク放電は高分子基板上のけい素含有プラズマ高分子薄膜のロール・ツー・ロール堆積に使用した。を用いて単量体ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)のフラグメンテーションはプラズマパワーの増加と共に増加することが分かった。より高いフラグメンテーションはC-H結合の破壊の結果として減少した水素含有量に関連していた。これは,より高い架橋度のを可能にした。後者は被覆のバリア性能に正の効果を持つ。分離アノードを用いたホロー陰極アーク放電は,PET基板上の0.16gm~ 2日~ 1(38°C,90%相対湿度で測定した)の水蒸気透過速度(WVTR)を有するプラズマ重合体の堆積を可能にした約450nm m分~ 1の蒸着速度を維持した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  アーク放電 ,  プラズマ重合 ,  単量体 ,  *プラズマ ,  架橋度 ,  *ホロー陰極 ,  フラグメンテーション ,  相対湿度 ,  高分子薄膜 ,  *プラズマCVD ,  C-H結合 ,  *被覆
準シソーラス用語： 蒸着速度 ,  ロール・ツー・ロール方式 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 障壁 ,  DC放電 ,  ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO) ,  ホロー陰極 ,  プラズマ重合

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (10件)： ホロー陰極 ,  活性化 ,  PECVD ,  プロセス ,  けい素 ,  プラズマ ,  高分子 ,  コーティング ,  障壁 ,  パワー